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dc.contributor.author
Ferreyra, Cristian Daniel  
dc.contributor.author
Roman Acevedo, Wilson Stibens  
dc.contributor.author
Gay, Ralph  
dc.contributor.author
Rubi, Diego  
dc.contributor.author
Sánchez, María José  
dc.date.available
2021-01-07T12:17:19Z  
dc.date.issued
2019-09  
dc.identifier.citation
Ferreyra, Cristian Daniel; Roman Acevedo, Wilson Stibens; Gay, Ralph; Rubi, Diego; Sánchez, María José; Oxygen vacancies dynamics in redox-based interfaces: Tailoring the memristive response; IOP Publishing; Journal of Physics D: Applied Physics; 53; 1; 9-2019; 1-11  
dc.identifier.issn
0022-3727  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/121694  
dc.description.abstract
Redox-based memristive devices are among the alternatives for the next generation of non-volatile memories, but also candidates to emulate the behavior of synapses in neuromorphic computing de- vices. Nowadays it is well established that the motion of oxygen vacancies at the nanoscale is the key mechanism to reversibly switch metal/insulator/metal structures from insulating to con- ducting, i.e. to accomplish the resistive switching effect. The control of oxygen vacancies dynamics has direct effects on the resistance changes, and therefore on different factors of memristive devices such as switching speed, retention, endurance or energy consumption. Advances in this direction demand not only experimental techniques that allow measuring oxygen vacancies profiles, but also theoretical studies that shed light on the involved mechanisms. Along these goals, we analize the oxygen vacancies dynamics in redox interfaces formed when an oxidizable metallic electrode is in contact with the insulating oxide. We show how the transfer of oxygen vacancies can be manipulated by using different electrical stimuli protocols that allow optimizing device figures such as ON/OFF ratio or writing energy dissipation. Analytical expressions for both high and low resistance states are derived in terms of total oxygen vacancies transferred at the interface. Our predictions are validated with experiments performed in Ti/La 1/3 Ca 2/3 MnO 3 redox memristive devices.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
IOP Publishing  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
MEMRISTORS  
dc.subject
OXYGEN VACANCIES DYNAMIC  
dc.subject
REDOX INTERFACES  
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.title
Oxygen vacancies dynamics in redox-based interfaces: Tailoring the memristive response  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2020-12-16T18:34:38Z  
dc.identifier.eissn
1361-6463  
dc.journal.volume
53  
dc.journal.number
1  
dc.journal.pagination
1-11  
dc.journal.pais
Reino Unido  
dc.journal.ciudad
Londres  
dc.description.fil
Fil: Ferreyra, Cristian Daniel. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Roman Acevedo, Wilson Stibens. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Gay, Ralph. No especifíca;  
dc.description.fil
Fil: Rubi, Diego. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Sánchez, María José. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Área de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología. - Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Oficina de Coordinación Administrativa Ciudad Universitaria. Unidad Ejecutora Instituto de Nanociencia y Nanotecnología; Argentina  
dc.journal.title
Journal of Physics D: Applied Physics  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ab46d3  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab46d3