Structural quality in single crystalline CdSe ingots grown by PVT: Qualidade estrutural em lingotes de CdSe monocristalinos crescidos por PVT

Abstract

CdSe is II-VI semiconductor with compact hexagonal structure. It has a band gap of 1.82 eV and a high stopping power for nuclear radiation. Single crystalline CdSe ingots were grown by Physical Vapor Transport (PVT) employing a horizontal reactor. As devices critically depend on material properties its single crystalline quality was determined by chemical etching and transmission electron microscopy. Results were compared to those corresponding to Bridgman High Pressure (HPB) grown material and also to PVT material grown in a vertical reactor.

O CdSe é um semicondutor II-VI com estrutura hexagonal compacta. Tem uma banda proibida de 1,82 eV e um alto poder de freamento de radiação nuclear. Os monocristais de CdSe foram crescidos por transporte físico de vapor (PVT), empregando um reator horizontal. Como os dispositivos dependem criticamente das propriedades do material, sua qualidade cristalina foi determinada por ataque químico e microscopia eletrônica de transmissão. Os resultados foram comparados com aqueles correspondentes ao material crescido pelo método Bridgman vertical de alta pressão (HPB) e também com o material PVT crescido em um reator vertical.