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Artículo

Structural and transport characterization of ultra thin Ba0.05Sr0.95TiO3 layers grown over Nb electrodes for the development of Josephson junctions

Sirena, MartinIcon ; Aviles Felix, Luis StevenIcon ; Carvacho Vera, G. A. ; Navarro Fernández, Henry LucianoIcon ; Steren, Laura BeatrizIcon ; Bernard, R. ; Briático, J. ; Bergeal, N. ; Lesueur, J. ; Faini, G.
Fecha de publicación: 01/2012
Editorial: American Institute Of Physics
Revista: Applied Physics Letters
ISSN: 0003-6951
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Física de los Materiales Condensados

Resumen

A phenomenological approach was used to obtain critical information about the structure and electrical properties of ultra thin Ba0.05Sr0.95TiO3 (BSTO) layers over Nb electrodes. The method allows, in a simple way, to study and to optimize the growth of the barrier in order to improve the performance and application of Josephson junctions. A very good control of the layer thickness with a low roughness was achieved during the deposition process. The BSTO layers present an energy barrier of 0.6 eV and an attenuation length of 0.4 nm, indicating its good insulating properties for the development of Josephson junctions with improved performance.
Palabras clave: Afm , Tunneling , Josephson Junctions , Electrical Properties
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Creative Commons Attribution-NonCommercial-ShareAlike 2.5 Unported (CC BY-NC-SA 2.5)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/11330
URL: http://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.3675332
DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3675332
Colecciones
Articulos(CCT - PATAGONIA NORTE)
Articulos de CTRO.CIENTIFICO TECNOL.CONICET - PATAGONIA NORTE
Citación
Sirena, Martin; Aviles Felix, Luis Steven; Carvacho Vera, G. A. ; Navarro Fernández, Henry Luciano; Steren, Laura Beatriz; et al.; Structural and transport characterization of ultra thin Ba0.05Sr0.95TiO3 layers grown over Nb electrodes for the development of Josephson junctions; American Institute Of Physics; Applied Physics Letters; 100; 1; 1-2012; 12602-12602
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