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dc.contributor.author
Fuhr, Javier Daniel
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dc.contributor.author
Ventura, Cecilia Ileana
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dc.contributor.author
Barrio, Rafael A.
dc.date.available
2017-01-11T21:55:48Z
dc.date.issued
2013-11
dc.identifier.citation
Fuhr, Javier Daniel; Ventura, Cecilia Ileana; Barrio, Rafael A. ; Formation of non-substitutional beta-Sn defects in Ge1-x Snx alloys; Amer; Journal of Applied Physics; 114; 19; 11-2013; 193508-193508
dc.identifier.issn
0021-8979
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/11185
dc.description.abstract
Although group IV semiconductor alloys are expected to form substitutionally, in Ge1xSnx this is true only for low concentrations (x < 0.13). The use of these alloys as a narrow gap semiconductor depends on the ability to produce samples with the high quality required for optoelectronic device applications. In a previous paper, we proposed the existence of a non-substitutional complex defect (b-Sn), consisting of a single Sn atom in the center of a Ge divacancy, which may account for the segregation of Sn at large x. Afterwards, the existence of this defect was confirmed experimentally. In this paper we study the local environment and the interactions of the substitutional defect (a-Sn), the vacancy in Ge, and the b-Sn defect by performing extensive numerical ab initio calculations. Our results confirm that a b-Sn defect can be formed by natural diffusion of a vacancy around the substitutional a-Sn defect, since the energy barrier for the process is very small.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Amer
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Semiconductor Alloys
dc.subject
Non-Substitutional Defects
dc.subject
Formation of Complex Defects
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
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dc.subject.classification
Ciencias Físicas
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dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
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dc.title
Formation of non-substitutional beta-Sn defects in Ge1-x Snx alloys
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2017-01-06T20:04:15Z
dc.journal.volume
114
dc.journal.number
19
dc.journal.pagination
193508-193508
dc.journal.pais
Estados Unidos
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dc.journal.ciudad
Nueva York
dc.description.fil
Fil: Fuhr, Javier Daniel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Energía Nuclear. Instituto Balseiro; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
dc.description.fil
Fil: Ventura, Cecilia Ileana. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas; Argentina. Universidad Nacional de Rio Negro. Sede Andina; Argentina. Comisión Nacional de Energía Atómica. Gerencia del Area de Investigación y Aplicaciones No Nucleares. Gerencia de Física (Centro Atómico Bariloche); Argentina
dc.description.fil
Fil: Barrio, Rafael A. . Universidad Nacional Autónoma de México; México
dc.journal.title
Journal of Applied Physics
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/1.4829697
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1063/1.4829697
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