Artículo
Properties of Hg 1-xCd xTe epitaxial films grown on (211)CdTe and (211)CdZnTe
Di Stefano, María Cristina; Heredia, Eduardo Armando; Gilabert, Ulises Eduardo; Trigubo, Alicia Beatriz
Fecha de publicación:
10/2004
Editorial:
Wiley VCH Verlag
Revista:
Crystal Research And Technology
ISSN:
0232-1300
Idioma:
Inglés
Tipo de recurso:
Artículo publicado
Clasificación temática:
Resumen
Hg 1-xCd xTe (MCT) epitaxial films have been grown employing single crystalline substrates of CdTe and Cd 0.96Zn 0.04Te with (211)Cd and (211)Te crystalline orientations. The Isothermal Vapor Phase Epitaxy (ISOVPE) technique without Hg overpressure has been used for the epitaxial growth. Substrates and films were characterized by optical microscopy, chemical etching and x ray diffraction (Laue technique). The electrical properties were determined by Hall effect measurements. The characterization results allowed to evaluate the crystalline quality of MCT films.
Palabras clave:
Epitaxial Films
,
Hg 1-Xcd Xte
,
Isovpe
,
Mct
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Tamaño:
234.0Kb
Formato:
PDF
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Citación
Di Stefano, María Cristina; Heredia, Eduardo Armando; Gilabert, Ulises Eduardo; Trigubo, Alicia Beatriz; Properties of Hg 1-xCd xTe epitaxial films grown on (211)CdTe and (211)CdZnTe; Wiley VCH Verlag; Crystal Research And Technology; 39; 10; 10-2004; 881-885
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