Artículo

Oxygen partial pressure dependence of electrical conductivity in γ′-Bi2MoO6

Vera, Claudia M. C.; Aragon, RicardoIcon
Fecha de publicación: 05/2008
Editorial: Academic Press Inc Elsevier Science
Revista: Journal of Solid State Chemistry
ISSN: 0022-4596
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:

Resumen

The electrical conductivity of γ′-Bi2MoO6 was surveyed between 450 and 750 °C as a function of oxygen partial pressure, in the range 0.01-1 atm. A -frac(1, 6) power law dependence, consistent with a Frenkel defect model of doubly ionized oxygen vacancies and interstitials, is evidence for an n-type semiconductive component, with an optical band gap of 2.9 eV. The absence of this dependence is used to map the onset of dominant ionic conduction.
Palabras clave: Bismuth Molybdates , Electrical Transport , Oxygen Ionic Conduction , Photoconductivity
 
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Formato: PDF
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Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/82041
URL: https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022459608000881
DOI: https://doi.org/10.1016/j.jssc.2008.02.005
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Articulos(UNIDEF)
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Citación
Vera, Claudia M. C.; Aragon, Ricardo; Oxygen partial pressure dependence of electrical conductivity in γ′-Bi2MoO6; Academic Press Inc Elsevier Science; Journal of Solid State Chemistry; 181; 5; 5-2008; 1075-1079
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