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dc.contributor.author
Ponce, Miguel Adolfo
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dc.contributor.author
Parra, Rodrigo
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dc.contributor.author
Castro, Miriam Susana
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dc.contributor.author
Aldao, Celso Manuel
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dc.date.available
2019-02-14T20:37:00Z
dc.date.issued
2007-12
dc.identifier.citation
Ponce, Miguel Adolfo; Parra, Rodrigo; Castro, Miriam Susana; Aldao, Celso Manuel; Conductance analysis of (Co, Nb, Fe)-doped SnO 2 thick film gas sensors; Springer; Journal of Materials Science: Materials in Electronics; 18; 12; 12-2007; 1171-1177
dc.identifier.issn
0957-4522
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/70230
dc.description.abstract
Thick films prepared with undoped nanometric SnO 2 particles and with (Co, Nb, Fe)-doped SnO 2 were studied with the purpose of developing oxygen and carbon monoxide gas sensors. The ceramic powders were obtained through the Pechini method. The morphological characteristics were studied with SEM and TEM, after which, they were subjected to sensitivity tests under different atmospheres. A correlation was established between the microstructure of the material, the effects of the additives, and the electrical behavior. The response of the sensor could be explained as the result of the characteristics of the intergranular potential barriers developed at intergrains. It was determined that the SnO 2-doped films have a greater sensitivity between 200 °C and 350 °C.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Springer
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dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Sno2
dc.subject
Gas Sensors
dc.subject
Conduction Mechanism
dc.subject.classification
Otras Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
Ingeniería de los Materiales
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dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS
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dc.title
Conductance analysis of (Co, Nb, Fe)-doped SnO 2 thick film gas sensors
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2019-02-05T14:12:46Z
dc.identifier.eissn
1573-482X
dc.journal.volume
18
dc.journal.number
12
dc.journal.pagination
1171-1177
dc.journal.pais
Alemania
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dc.description.fil
Fil: Ponce, Miguel Adolfo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.description.fil
Fil: Parra, Rodrigo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.description.fil
Fil: Castro, Miriam Susana. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.description.fil
Fil: Aldao, Celso Manuel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Conicet - Mar del Plata. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería. Instituto de Investigaciones en Ciencia y Tecnología de Materiales; Argentina
dc.journal.title
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
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dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1007/s10854-007-9276-7
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/https://link.springer.com/article/10.1007%2Fs10854-007-9276-7
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