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dc.contributor.author
Marín Ramírez, Oscar Alonso  
dc.contributor.author
Urteaga, Raul  
dc.contributor.author
Comedi, David Mario  
dc.contributor.author
Koropecki, Roberto Roman  
dc.date.available
2016-07-15T18:43:04Z  
dc.date.issued
2013-04  
dc.identifier.citation
Marín Ramírez, Oscar Alonso; Urteaga, Raul; Comedi, David Mario; Koropecki, Roberto Roman; Switchable Electric Field Induced Diode Effect in Nanostructured Porous Silicon; Institute of Electrical and Electronics Engineers; IEEE Electron Device Letters; 34; 5; 4-2013; 590-592  
dc.identifier.issn
0741-3106  
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/6542  
dc.description.abstract
Unidirectional current flow (diode-like behavior) is observed in Al/Nanostructured Porous Silicon/Al structures (Al/SP/Al) after applying a forming electric field (E) for a long time. We found that rectifying characteristics depend on the direction of E. The forward direction coincides with the direction of E. The diode direction switches when E is inverted. The rectification factor passes from 200 to 26 from one direction to the other, the effect is reversible and can be repeated several times.  
dc.format
application/pdf  
dc.language.iso
eng  
dc.publisher
Institute of Electrical and Electronics Engineers  
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess  
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/  
dc.subject
Metal/Semiconductor Interfaces  
dc.subject
Porous Silicon (Ps)  
dc.subject
Switchable Diode Effect  
dc.subject.classification
Física Atómica, Molecular y Química  
dc.subject.classification
Ciencias Físicas  
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS  
dc.subject.classification
Nano-materiales  
dc.subject.classification
Nanotecnología  
dc.subject.classification
INGENIERÍAS Y TECNOLOGÍAS  
dc.title
Switchable Electric Field Induced Diode Effect in Nanostructured Porous Silicon  
dc.type
info:eu-repo/semantics/article  
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo  
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion  
dc.date.updated
2016-02-23T16:42:31Z  
dc.journal.volume
34  
dc.journal.number
5  
dc.journal.pagination
590-592  
dc.journal.pais
Estados Unidos  
dc.journal.ciudad
Nueva York  
dc.description.fil
Fil: Marín Ramírez, Oscar Alonso. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (i); Argentina  
dc.description.fil
Fil: Urteaga, Raul. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (i); Argentina  
dc.description.fil
Fil: Comedi, David Mario. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Tucumán; Argentina. Universidad Nacional de Tucumán; Argentina  
dc.description.fil
Fil: Koropecki, Roberto Roman. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Santa Fe. Instituto de Desarrollo Tecnológico para la Industria Química (i); Argentina  
dc.journal.title
IEEE Electron Device Letters  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://ieeexplore.ieee.org/xpl/articleDetails.jsp?arnumber=6502196  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/10.1109/LED.2013.2253754  
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1109/LED.2013.2253754  

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