Micromaquinado con láseres sólidos de nano y femtosegundos. Comparación de resultados

Abstract

En este trabajo se presentan los resultados de la comparación del micromaquinado láser de obleas de silicio empleando la técnica de escritura directa (direct writing) con pulsos de nanosegundos generados por la técnica de Q-switch en Nd:YAG y pulsos de femtosegundos, provenientes del Ti:Zafiro mode lockeado. Se determinaron los efectos de la redeposición de escombros (debris) y se proponen técnicas para su control.

In this paper we present the comparison of direct writing silicon wafer using Q-switched pulses from a Nd:YAG laser and mode locking pulses from a Ti:Sapphire laser. We describe the debris effect in both cases and propose several techniques in order to minimize the effect.