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Artículo

Few-electron semiconductor quantum dots with Gaussian confinement

Gomez, Sergio SantiagoIcon ; Romero, Rodolfo HoracioIcon
Fecha de publicación: 08/03/2009
Editorial: De Gruyter
Revista: Central European Journal of Physics
ISSN: 1895-1082
e-ISSN: 1644-3608
Idioma: Inglés
Tipo de recurso: Artículo publicado
Clasificación temática:
Otras Ciencias Físicas

Resumen

We have performed Hartree-Fock calculations of the electronic structure of N ≤ 10 electrons in a quantum dot modeled with a confining Gaussian potential well. We discuss the conditions for the stability of N bound electrons in the system. We show that the most relevant parameter determining the number of bound electrons is V 0 R 2. Such a feature arises from widely valid scaling properties of the confining potential. Gaussian Quantum dots having N = 2, 5, and 8 electrons are particularly stable in agreement with the Hund rule. The shell structure becomes less and less noticeable as the well radius increases.
Palabras clave: Quantum Dot , Gaussian Potential , Electronic Structure
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info:eu-repo/semantics/openAccess Excepto donde se diga explícitamente, este item se publica bajo la siguiente descripción: Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Argentina (CC BY-NC-ND 2.5 AR)
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/11336/24793
URL: https://www.degruyter.com/view/j/phys.2009.7.issue-1/s11534-008-0132-z/s11534-00
DOI: https://doi.org/10.2478/s11534-008-0132-z
Colecciones
Articulos(IMIT)
Articulos de INST.DE MODELADO E INNOVACION TECNOLOGICA
Citación
Gomez, Sergio Santiago; Romero, Rodolfo Horacio; Few-electron semiconductor quantum dots with Gaussian confinement; De Gruyter; Central European Journal of Physics; 7; 1; 8-3-2009; 12-21
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