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dc.contributor.author
Schipani, Federico
dc.contributor.author
Aldao, Celso Manuel
dc.contributor.author
Ponce, Miguel Adolfo
dc.date.available
2017-01-03T15:22:23Z
dc.date.issued
2012-11-09
dc.identifier.citation
Schipani, Federico; Aldao, Celso Manuel; Ponce, Miguel Adolfo; Inadequacy of the Mott-Schottky equation in strongly pinned double Schottky barriers with no deep donors; Iop Publishing; Journal Of Physics D: Applied Physics; 45; 9-11-2012; 495302-495307
dc.identifier.issn
0022-3727
dc.identifier.uri
http://hdl.handle.net/11336/10742
dc.description.abstract
The capacitive behaviour of an intergranular double Schottky barrier in a polycrystalline semiconductor was evaluated. We found that the widely applied version of the Mott-Schottky equation can lead to significant errors. Even though we considered strong Fermi level pinning at the interface and no deep levels, the Mott?Schottky equation can be inadequate leading to huge errors due to voltage splitting at double Schottky barriers. Experiments carried out on ZnO varistors corroborated the main trends of our analysis.
dc.format
application/pdf
dc.language.iso
eng
dc.publisher
Iop Publishing
dc.rights
info:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rights.uri
https://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/2.5/ar/
dc.subject
Pollycrystalline
dc.subject
Mott-Schottky
dc.subject.classification
Física de los Materiales Condensados
dc.subject.classification
Ciencias Físicas
dc.subject.classification
CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS
dc.title
Inadequacy of the Mott-Schottky equation in strongly pinned double Schottky barriers with no deep donors
dc.type
info:eu-repo/semantics/article
dc.type
info:ar-repo/semantics/artículo
dc.type
info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.date.updated
2017-01-02T18:31:08Z
dc.journal.volume
45
dc.journal.pagination
495302-495307
dc.journal.pais
Reino Unido
dc.journal.ciudad
Bristol
dc.description.fil
Fil: Schipani, Federico. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Mar del Plata. Instituto de Investigación en Ciencia y Tecnología de Materiales (i); Argentina. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería; Argentina
dc.description.fil
Fil: Aldao, Celso Manuel. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Mar del Plata. Instituto de Investigación En Ciencia y Tecnología de Materiales (i); Argentina. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería; Argentina
dc.description.fil
Fil: Ponce, Miguel Adolfo. Consejo Nacional de Investigaciones Científicas y Técnicas. Centro Científico Tecnológico Mar del Plata. Instituto de Investigación en Ciencia y Tecnología de Materiales (i); Argentina. Universidad Nacional de Mar del Plata. Facultad de Ingeniería; Argentina
dc.journal.title
Journal Of Physics D: Applied Physics
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/doi/http://dx.doi.org/10.1088/0022-3727/45/49/495302
dc.relation.alternativeid
info:eu-repo/semantics/altIdentifier/url/http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/45/49/495302
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